在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并精確定位，以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，稱為光刻掩模版。
導體集成電路制作過程通常需要經(jīng)過多次光刻工藝，在半導體晶體表面的介質層上開鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導電層上刻蝕金屬互連圖形。
光刻工藝需要一整套（幾塊多至十幾塊）相互間能精確套準的、具有特定幾何圖形的光復印掩蔽模版。
